It reported at home on June 6 today announced by the Shanghai Jiaotong University Wuxi Photonic Chip Research Institute (CHIPX) as it began at a major moment: On June 5, the first 6-inch thin film Lithium Niobate Photonic Wafer was offline in the first domestic photonic chip line, Production of ultra-low loss and ulltra-high-high-high bandwidth are high-performance thin-film lithium niobate调制器芯片，关键技术指标达到国际高级水平。 CHIPX官员说，这一成功的成功标志着我国家从“技术后续行动”到“领导”高端主要光电设备领域的行业的历史性跳跃。研究所依靠飞行员平台并与工业合作伙伴合作，以促进MWine Mass Instructure，“研发和发展规模规模的群众生产技术”的全链能力将发展，并进一步增强国际独立和受控批量TEC的竞争HNOLOGY。光学数量的芯片是光量子计算的主要硬件载体。他们的工业化过程将促进我的国家在数量的信息领域中获得独立控制，这也是对夺取全球技术竞争强制性高度的战略支持。过去，由于缺乏基本过程的通用技术平台，我国家的Photoquantum技术面临着“难以使实验室结果批量生产”的问题，这是一个“瓶颈”问题，可以阻止工业发展，并且使发展激活的光子芯片试验线是破坏僵局的关键。上海Jiaotong University Wuxi Photonic ChIP研究所于2022年12月启动了国内光子芯片的第一架试验线。2024年9月，光子芯片飞行员线集成了光子芯片研究和开发，设计，处理和应用被推出。如今，第一个晶圆已成功推出，试点平台已经实现了大规模制造和阵容。作为高性能的光电材料，薄膜硅锂具有其优势，例如超快电光效应，高带宽和低电力消耗，并且在5G通信，计算量和其他领域中显示出巨大的潜力。但是，由于薄膜硅酸锂材料的脆性高，大规模的制备薄膜薄膜锂始终认为是该行业的挑战，尤其是在大规模制作过程中，该过程面临三个主要问题，例如纳米级准确控制处理，诸如相似性和法规的胶水量的保证和速率一致性。根据自我建构的国内第一光子芯片飞行员线，ChiPX流程团队引入了110多个国际CMOS流程设备，涵盖了完全封闭的薄工艺薄膜锂含光刻的硅酸酯，从包装中切除膜去除，蚀刻，湿法，切割和跨度。通过在芯片设计，工艺解决方案和设备系统合作中的技术适应性的创新开发，从光刻图案，精确蚀刻，MSLOW的去除和测试膜的整个过程中，已经成功地打开了，从而在整合晶粒级别的光子芯片的过程中取得了突破性。借助高级的纳米级处理设备以及更改飞行员平台功能的快速过程，该过程团队通过大量深层紫外线（DUV）Niobate Niobate Niobate Niobate Niobate Niobate Niobate Wafer的结合，系统地解决了晶圆级光子芯片集成的基本技术瓶颈；高相似性，纳米级波导和复杂的高性能电极结构的跨尺度整合通过步进（I-Line）光刻完成，达到过程的顶部。同时，该过程团队在同时考虑到高集成的同时，通过合作NG材料合作创新取得了跨越绩效的成功。 The key indicators are at the forefront of all: Modulation bandwidth exceeds 110GHz, which broke the bottleneck of international high-speed optical interconnect bandwidth insertion loss